Главная
Кристаллизация металла
Размерная обработка электронным лучом
Оборудование для электронно лучевой обработки
Пушка вакуумной системы
Светолучевая обработка материалов
Когерентное излучение
Схема ОКГ
Полупроводниковые ОКГ
Технология светолучевой обработки материалов
Нетрадиционные способы сварки
Лазерная обработка
Проточный газовый лазер
Степень ионизации
Плавление вещества
Виды плазменной резки
Системы электропитания
Создание сильных магнитных полей
Процессы в разрядной цепи
Характер действия сил
Удельная проводимость


восхитительные кассетные кондиционеры это монтаж кондиционера домой при нуждеКонтинент - оперативное таможенное оформление

Кристаллизация металла


важное значение имеет число испаренных частиц, прошедших путь до заготовки без столкновений, N = = iVoexp (—пох), где No— число частиц потока пара, испаряемых с поверхности; а — площадь эффективного сечения; п — концентрация частиц газа; х — путь, пройденный частицей до столкновения.
Расчетом можно определить, что среднее значение длины свободного пробега частицы пара до столкновения ее с молекулой газа при давлении р = 10~2 Па составляет около 500 мм. Следовательно, напыляемая подложка должна находиться от испаряемой поверхности, учитывая угол рассеивания частиц по подложке, на расстоянии не более 250 мм. В этом случае практически весь испаренный материал попадет на поверхность подложки, т. е. система испарителя будет работать с высоким КПД.
Другим важным технологическим параметром является скорость испарения
где а~1—коэффициент испарения; К\, Кч — коэффициенты, зави-/ сящие от материала испаряемого вещества; Мо — массовое число/ испаряемого вещества; Т — темпера

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   


© 2007 Познавай.info