Главная
Кристаллизация металла
Размерная обработка электронным лучом
Оборудование для электронно лучевой обработки
Пушка вакуумной системы
Светолучевая обработка материалов
Когерентное излучение
Схема ОКГ
Полупроводниковые ОКГ
Технология светолучевой обработки материалов
Нетрадиционные способы сварки
Лазерная обработка
Проточный газовый лазер
Степень ионизации
Плавление вещества
Виды плазменной резки
Системы электропитания
Создание сильных магнитных полей
Процессы в разрядной цепи
Характер действия сил
Удельная проводимость


засилье порноКонтинент - оперативное таможенное оформление

Кристаллизация металла


тура. I
Практика показывает, что скорость испарения вещества долж^ на быть vu^0,\ ... 100 г/(м2-с). Достижение таких скоростей испарения возможно только при испарении из жидкой фазы, что и определяет конструктивные особенности испарительных установок.
На рис. IV. 11 приведена принципиальная схема одного из вариантов построения испарительных установок для нанесения покрытий. Из бункера 5 испаряемый материал по желобу 7, приводимому в действие вибратором 6, порциями поступает в охлаждаемый тигель 9.
Траектория электронного луча 3, получаемого с помощью электронной пушки /, искривляется отклоняющей системой 2 в направлении испаряемого вещества 8. В результате воздействия луча 3 на поверхность материала 8 последний испаряется и частицы пара, поднимаясь вверх, оседают на поверхность подложки 4, образуя плотную пленку. Применение отклоняющего магнитного поля позволяет располагать электронную пушку / практически в любом удобном мес

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   


© 2007 Познавай.info