Главная
Кристаллизация металла
Размерная обработка электронным лучом
Оборудование для электронно лучевой обработки
Пушка вакуумной системы
Светолучевая обработка материалов
Когерентное излучение
Схема ОКГ
Полупроводниковые ОКГ
Технология светолучевой обработки материалов
Нетрадиционные способы сварки
Лазерная обработка
Проточный газовый лазер
Степень ионизации
Плавление вещества
Виды плазменной резки
Системы электропитания
Создание сильных магнитных полей
Процессы в разрядной цепи
Характер действия сил
Удельная проводимость


Континент - оперативное таможенное оформление

Полупроводниковые ОКГ


/г-переход 5 толщиной около 0,1 мкм. Излучающий слой имеет несколько большую толщину (я»1„ 2 мкм) из-за проникновения электронов и дырок за область перехода. Выводы 3, 6 служат для подачи питающего напряжения; один из них I (нижний) может выполнять функции теплоотвода. \ При подаче на выводы напряжения р-л-переход генерирует из-|лучение 4 с длинами волн A,i==0,82 мкм и Я2 = 0,9 мкм (инфракрас-\ная область); для других материалов длины генерируемых волн могут иметь другие значения — от ультрафиолетовой до инфракрас-рой области.
Чтобы полупроводниковый ОКГ работал в непрерывном режиме генерации, кристалл необходимо охлаждать до криогенных температур. Мощность излучения ОКГ на арсениде галлия при температуре жидкого азота в импульсно-периодическом режиме составляет 100 Вт, в непрерывном режиме— 10 Вт. Лучшие образцы полупроводниковых ОКГ могут работать при нормальных температурах. Малые геометрические размеры и простота конструкции полупроводниковых ОКГ позволяют собирать реше

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   


© 2007 Познавай.info