Главная
Кристаллизация металла
Размерная обработка электронным лучом
Оборудование для электронно лучевой обработки
Пушка вакуумной системы
Светолучевая обработка материалов
Когерентное излучение
Схема ОКГ
Полупроводниковые ОКГ
Технология светолучевой обработки материалов
Нетрадиционные способы сварки
Лазерная обработка
Проточный газовый лазер
Степень ионизации
Плавление вещества
Виды плазменной резки
Системы электропитания
Создание сильных магнитных полей
Процессы в разрядной цепи
Характер действия сил
Удельная проводимость


Континент - оперативное таможенное оформление

Полупроводниковые ОКГ


ра или могут находиться вне ее, будучи-выполненными в виде отдельных функциональных блоков.
Выбор типа и конструкции лазера прежде всего должен обеспечивать получение необходимой мощности или энергии луча. Для управления этими параметрами прежде всего используется модуляция интенсивности накачки за счет изменения тока разряда лампы-вспышки в твердотельных лазерах, изменения тока в разрядной камере — в газовых лазерах и за счет изменения тока, текущего через р-л-переход, — в полупроводниковых ОКГ инжек-ционного типа. Однако при изменении интенсивности накачки одновременно с изменением мощности луча изменяются и другие его параметры — состав излучения и распределение интенсивности по поперечному сечению луча. В твердотельных ОКГ при изменении энергии накачки сильно изменяется временная структура излучения.
Удобнее управлять интенсивностью излучения ОКГ с помощью способов, использующих двойное лучепреломление в кристаллах. После прохождения через специальную призму луч поляри

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   


© 2007 Познавай.info