Главная
Кристаллизация металла
Размерная обработка электронным лучом
Оборудование для электронно лучевой обработки
Пушка вакуумной системы
Светолучевая обработка материалов
Когерентное излучение
Схема ОКГ
Полупроводниковые ОКГ
Технология светолучевой обработки материалов
Нетрадиционные способы сварки
Лазерная обработка
Проточный газовый лазер
Степень ионизации
Плавление вещества
Виды плазменной резки
Системы электропитания
Создание сильных магнитных полей
Процессы в разрядной цепи
Характер действия сил
Удельная проводимость


Континент - оперативное таможенное оформление

Полупроводниковые ОКГ


Одним из основных параметров., определяющих мощность излучения газового ОКГ, является концентрация активных молекул. В связи с этим ведутся исследования газовых ОКГ, работающих при давлениях, превышающих атмосферное. Накачка энергией осуществляется при помощи электрического разряда в газе, причем для равномерного распределения разряда в межэлектродном пространстве производится предварительная ионизация газа. Лазеры такого типа называются электро-ионизационны-ми. Ионизация рабочего газа осуществляется ультрафиолетовым облучением или с помощью электронного пучка. ОКГ такого типа работают в импульсном режиме. Лазер на СО2 дает энергию импульса 50 ... 60 Дж с 1 дм3 объема газа. КПД таких устройств составляет 10 ... 20%.
Полупроводниковые ОКГ генерируют когерентное излучение за счет процессов, происходящих в р-л-переходе. На рис. V.11 показана схема полупроводникового ОКГ на арсениде галлия. Верхняя часть 1 кристалла имеет проводимость р-типа, нижняя 2 — л-типа. Между ними образован р-

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   


© 2007 Познавай.info